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SPB80N03S2L-06

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SPB80N03S2L-06 优势库存
infineon
TO-263
2023+
8350
原装现货质量保证
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SPB80N03S2L-06 优势库存
infineon
TO-263(D2PAK)
2023+
5892
原装现货，价格优势
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SPB80N03S2L-06 G
Infineon Techn..
PG-TO263-3-2
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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SPB80N03S2L-06
Infineon Techn..
PG-TO263-3-2
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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SPB80N03S2L-06
Infineon
TO-263-3-2
2023+
136
特价现货部分可售样片
SPB80N03S2L-06
INFINEON
TO263-3-2
2023+
10000
品质保证,价格优惠
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SPB80N03S2L-06
InfineonTechno..
TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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SPB80N03S2L-06G
InfineonTechno..
TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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SPB80N03S2L-06G
INF
TO-263
2023+
26278
工厂配单，价格优势
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相关型号： SPB80N03S2L05T SPB80N03S2L-05 G SPB80N03S2L-05 SPB80N03S2L-04 G SPB80N03S2L-04 SPB80N03S2L-03 G

SPB80N03S2L-06
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SPB80N03S2L-06参数：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008
标准包装：1,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.9毫欧@80A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@80µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：68nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2530pF@25V
功率-最大值：150W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：P-TO263-3

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