SPB80N06S2L-11参数：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation05/Jun/2008标准包装：1,000系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11毫欧@40A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@93µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：80nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2650pF@25V功率-最大值：158W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：P-TO263-3
