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SPD08P06P

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相关型号： SPD08N50C3 SPD08-200-RB-TR SPD08-200-RB SPD08-200-L-RB-TR SPD08-200-L-RB SPD08-120-RB-TR

SPD08P06P
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SPD08P06P参数：MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008
标准包装：2,500
系列：SIPMOS®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.83A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：300毫欧@6.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：420pF@25V
功率-最大值：42W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3

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