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SPD26N06S2L-35

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相关型号： SPD25N06S2-40 SPD22N08S2L-50 SPD18P06P G SPD18P06P SPD15P10PL G SPD15P10P G

SPD26N06S2L-35
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SPD26N06S2L-35参数：MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation11/Aug/2008
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@13A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@26µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：24nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：790pF@25V
功率-最大值：68W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：P-TO252-3

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