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SPI08N80C3

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SPI08N80C3 优势库存
infineon
TO-262
2023+
4850
原装现货质量保证
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SPI08N80C3XKSA1
Infineon Techn..
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PG-TO262-3
2023+
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SPI08N80C3
INFINEON
P-TO262-3-1
2023+
12046
全新进口原装现货,保证质量
SPI08N80C3
INFINEON
P-TO262-3-1
2023+
24260
品质保证,价格优惠
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2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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SPI08N80C3
INF
TO-262
2023+
62
优势现货量大可供实单价可谈
SPI08N80C3
Infineon
I2PAK-3
2023+
12300
【【原装绝对有货】】
相关型号： SPI08N50C3 SPI07N65C3 SPI07N60S5 SPI07N60C3 SPHD-002T-P0.5 SPHD-001T-P0.5

SPI08N80C3
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SPI08N80C3参数：MOSFET N-CH 800V 8A TO-262

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters
标准包装：500
系列：CoolMOS™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：650毫欧@5.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.9V@470µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1100pF@100V
功率-最大值：40W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：PG-TO262-3

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