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SPP02N60S5

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SPP02N60S5
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SPP02N60S5参数：MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation18/Nov/2011
标准包装：50
系列：CoolMOS™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3欧姆@1.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@80µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：240pF@25V
功率-最大值：25W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3

SPP02N60S5

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