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SPP08P06P

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相关型号： SPP08N80C3 SPP08N50C3 SPP07N65C3 SPP07N60S5 SPP07N60CFD SPP07N60C3

SPP08P06P
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SPP08P06P参数：MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：SIPMOS®
包装：管件
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：300 毫欧 @ 6.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：420pF @ 25V
功率 - 最大值：42W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3

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