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SPP11N60S5

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2023+
24260
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相关型号： SPP11N60CFD SPP11N60C3 SPP10N10L SPP10N10 SPP100N08S2L-07 SPP100N08S2-07

SPP11N60S5
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SPP11N60S5参数：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：CoolMOS™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：54nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1460pF @ 25V
功率 - 最大值：125W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3

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