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SPP18P06P

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相关型号： SPP17N80C3 SPP16N50C3 SPP15P10PL H SPP15P10PL G SPP15P10P H SPP15P10P G

SPP18P06P
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SPP18P06P参数：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：SIPMOS®
包装：管件
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 13.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：28nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：860pF @ 25V
功率 - 最大值：81.1W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3

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