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SPU02N60C3

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相关型号： SPU01N60C3 SPTMV0500PG5W02 SPTMV0300PG5W02 SPTMV0100PG5W02 SPTMV0030PG5W02 SPTMV0015PG5W02

SPU02N60C3
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SPU02N60C3参数：MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters
标准包装：1,500
系列：CoolMOS™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3欧姆@1.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.9V@80µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12.5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：200pF@25V
功率-最大值：25W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装：PG-TO251-3

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