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SPU09P06PL

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SPU09P06PL
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SPU09P06PL参数：MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation15/Apr/2008
标准包装：1,500
系列：SIPMOS®
包装：管件
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：250毫欧@6.8A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：450pF@25V
功率-最大值：42W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装：PG-TO251-3

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