SPU30P06P参数:MOSFET P-CH 60V 30A IPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation15/Apr/2008标准包装:75系列:SIPMOS®包装:管件FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):30A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):75毫欧@21.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@1.7mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):48nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1535pF@25V功率-最大值:125W安装类型:通孔封装:TO-251-3长引线,IPak,TO-251AB供应商器件封装:P-TO251-3