SQ3418EEV-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： SQSeriesPowerMOSFETs标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：32毫欧@5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@20V不同Vds时的输入电容(Ciss)：660pF@25V功率-最大值：5W安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOP
