SSM3J120TU

SSM3J120TU(T5L,T)
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SSM3J120TU(T5L,T)参数：MOSFET P-CH 20V 4A UFM

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： UFMTop UFMSide
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，1.5V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：38毫欧@3A，4V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22.3nC@4V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1484pF@10V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：3-SMD，扁平引线
供应商器件封装：UFM（2.0x2.1）