SSM3J332R,LF参数：MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：42 毫欧 @ 5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.2nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：560pF @ 15V功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装：SOT-23-3 扁平引线供应商器件封装：SOT-23F
