SSM6N20

SSM6N15AFU,LF
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SSM6N15AFU,LF参数：MOSFET N CH 30V 100MA 2-2J1C

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.6 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13.5pF @ 3V
功率 - 最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：US6