SSM6N7002BFU(T5L,F参数：MOSFET DUAL N-CH 60V .2A US6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： SmallSignalMOSFET产品目录绘图： US6Bottom US6Side标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.1欧姆@500mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：17pF@25V功率-最大值：300mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：US6
