SSM6P49NU,LF参数：MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 3.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.74nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：480pF @ 10V功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装：6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-uDFN（2x2）
