STB10NK60Z-1参数：MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STB10NK60ZViewAllSpecifications标准包装：50系列：SuperMESH™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：750毫欧@4.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：70nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1370pF@25V功率-最大值：115W安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA供应商器件封装：I2PAK