STB11NM60FDT4参数：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STB11NM60FDViewAllSpecifications标准包装：1,000系列：FDmesh™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：450毫欧@5.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：40nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：900pF@25V功率-最大值：160W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK