STB120NH03L

STB120N4F6
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STB120N4F6参数：MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STB120N4F6ViewAllSpecifications
特色产品： STripFETVIDeepGATESeriesPowerMOSFETs
标准包装：50
系列：STripFET™DeepGATE™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4毫欧@40A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：65nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3850pF@25V
功率-最大值：110W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK