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STB180N55

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相关型号： STB170NF04 STB16PF06LT4 STB16NS25T4 STB16NM50N STB16NK65Z-S STB16NF25

STB180N55F3
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STB180N55F3参数：MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STB180N55F3ViewAllSpecifications
标准包装：1,000
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：120A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.5毫欧@60A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：6800pF@25V
功率-最大值：330W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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