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STB19NB20

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STB19NB20T4 优势库存
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TO263
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STB19NB20 优势库存
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TO-263(D2PAK)
2023+
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STB19NB20
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SOT-263
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STB19NB20T4
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10000
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STB19NB20-TR
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TO-263
2023+
39357
工厂配单，价格优势
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STB19NB20T4
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TO-263-2
2023+
17
保证原装正品现货实单价可谈
相关型号： STB190NF04T4 STB18NM80 STB18NM60N STB18NF30 STB18NF25 STB18N65M5

STB19NF20
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STB19NF20参数：MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STB19NF20ViewAllSpecifications
标准包装：1,000
系列：MDmesh™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：15A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：160毫欧@7.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：24nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：800pF@25V
功率-最大值：90W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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