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STB200NF04L

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TO-263(D2PAK)
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相关型号： STB200NF04-1 STB200NF03T4 STB200N6F3 STB200N4F3 STB19NM65N STB19NF20

STB200NF04L
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STB200NF04L参数：MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：STripFET™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：90nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6400pF @ 25V
功率 - 最大值：300W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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