STB21N65M5参数：MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STB21N65M5ViewAllSpecifications产品培训模块： 5thGenerationHighVoltageMosfetTechnology标准包装：1,000系列：MDmesh™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：17A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：190毫欧@8.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1950pF@100V功率-最大值：125W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK