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STB25NM50N

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相关型号： STB25N80K5 STB24NM65N STB24NM60N STB24N60M2 STB23NM60ND STB23NM60N

STB25NM50N
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STB25NM50N参数：MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STB25NM50NViewAllSpecifications
标准包装：1,000
系列：MDmesh™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：22A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：140毫欧@11A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：84nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2565pF@25V
功率-最大值：160W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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