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STB30NF10T4

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STB30NF10T4
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STB30NF10T4参数：MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STB30NF10ViewAllSpecifications
标准包装：1,000
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：35A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@15A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：55nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1180pF@25V
功率-最大值：115W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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