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STB35NF10

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STB35NF10 优势库存
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D2PAK
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相关型号： STB35N65M5 STB34NM60ND STB34NM60N STB34N65M5 STB32NM50N STB32N65M5

STB35NF10T4
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STB35NF10T4参数：MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STB35NF10ViewAllSpecifications
标准包装：1,000
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：40A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@17.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：55nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1550pF@25V
功率-最大值：115W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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