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STB4NK60ZT4

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相关型号： STB4NK60Z-1 STB4N62K3 STB45NF06T4 STB45NF06 STB45N65M5 STB42N65M5

STB4NK60ZT4
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STB4NK60ZT4参数：MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STB4NK60ZViewAllSpecifications
标准包装：1,000
系列：SuperMESH™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2欧姆@2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：510pF@25V
功率-最大值：70W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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