STB5NK50Z-1参数：MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STB5NK50ZViewAllSpecifications标准包装：50系列：SuperMESH™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.5欧姆@2.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：28nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：535pF@25V功率-最大值：70W安装类型：通孔封装：TO-262-3短引线，I²Pak供应商器件封装：I-Pak