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STB70NF03

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STB70NF03L-1
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STB70NF03L-1参数：MOSFET N-CH 30V 70A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STB70NF03L-1ViewAllSpecifications
标准包装：1,000
系列：STripFET™II
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：70A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9.5毫欧@35A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1440pF@25V
功率-最大值：100W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3短引线，I²Pak
供应商器件封装：I2PAK

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