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STB80NF55L-06

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相关型号： STB80NF55-08T4 STB80NF55-08-1 STB80NF55-06T4 STB80NF55-06-1 STB80NF10T4 STB80NF03L-04T4

STB80NF55L-06T4
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STB80NF55L-06T4参数：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STB80NF55L-06ViewAllSpecifications
标准包装：1,000
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.5毫欧@40A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：136nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4850pF@25V
功率-最大值：300W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D²PAK

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