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STB85NF3LL

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STB85NF3LLT4 优势库存
ST
TO-263(D2PAK)
2023+
5430
全新原厂原装现货
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STB85NF3LL-1 优势库存
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TO-262
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4850
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STB85NF3LL 优势库存
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TO-263(D2PAK)
2023+
5436
原装现货，价格优势
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STB85NF3LLT4
STMicroelectro..
D2PAK
2023+
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STB85NF3LL
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D2PAK
2023+
11278
全新进口原装现货,保证质量
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STB85NF3LL-1
ST
TO-220
2023+
2346
全新原装现货,特价
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STB85NF3LLT4
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D2PAK
2023+
16278
全新进口原装现货,保证质量
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STB85NF3LL-1
ST
TO-220
2023+
750
品质保证,价格优惠
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STB85NF3LL
ST
D2PAK
2023+
22500
品质保证,价格优惠
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STB85NF3LLT4
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Dsup2Pak，TO-..
2023+
1000
品质保证,价格优惠
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2023+
3200
全新进口原装现货品质保证
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STB85NF3LL-TR
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TO-263
2023+
39357
工厂配单，价格优势
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相关型号： STB80PF55T4 STB80NF55L-08-1 STB80NF55L-06T4 STB80NF55-08T4 STB80NF55-08-1 STB80NF55-06T4

STB85NF3LLT4
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STB85NF3LLT4参数：MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STB85NF3LLViewAllSpecifications
标准包装：1,000
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：85A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8毫欧@40A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：40nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2210pF@25V
功率-最大值：110W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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