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STB9NK60ZD

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相关型号： STB9NK50ZT4 STB95N4F3 STB95N3LLH6 STB8NM60T4 STB8NM60N STB8NM60D

STB9NK60ZDT4
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STB9NK60ZDT4参数：MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STB9NK60ZDViewAllSpecifications
标准包装：1,000
系列：SuperMESH™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：950毫欧@3.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：53nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1110pF@25V
功率-最大值：125W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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