STB100NF03L-03-1参数：MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STB100NF03L-03ViewAllSpecifications标准包装：50系列：STripFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.2毫欧@50A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：88nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：6200pF@25V功率-最大值：300W安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA供应商器件封装：I2PAK