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STD10PF06

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相关型号： STD10P6F6 STD10NM65N STD10NM60ND STD10NM60N STD10NM50N STD10NF10T4

STD10PF06-1
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STD10PF06-1参数：MOSFET P-CH 60V 10A IPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：75
系列：STripFET™ II
包装：管件
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：850pF @ 25V
功率 - 最大值：40W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装：I-Pak

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