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STD11NM60N

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相关型号： STD11NM50N STD11N65M5 STD110NH02LT4 STD110N02RT4G STD10PF06T4 STD10PF06-1

STD11NM60N
PDF资料下载

STD11NM60N参数：MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STD11NM60NViewAllSpecifications
标准包装：2,500
系列：MDmesh™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：450毫欧@5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：31nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：850pF@50V
功率-最大值：90W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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