STD1HN60K3参数：MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：SuperMESH3™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 600mA， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：140pF @ 50V功率 - 最大值：27W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：DPAK
