STD2NA60

STD2N62K3
PDF资料下载

STD2N62K3参数：MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STD2N62K3ViewAllSpecifications
标准包装：2,500
系列：SuperMESH3™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：620V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.6欧姆@1.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：340pF@50V
功率-最大值：45W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak