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STD2NB80

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STD2NB80 优势库存
F
TO252
2023+
17656
原装现货，价格优势
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STD2NB80
ST
TO-252
2023+
12437
全新进口原装现货,特价热卖
STD2NB80-1
ST
TO-251
2023+
5253
全新进口原装现货,特价热卖
STD2NB80-1
ST
TO-251
2023+
1948
品质保证,价格优惠
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STD2NB80
ST
TO-252
2023+
30000
品质保证,价格优惠
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STD2NB80-T4
ST
TO252
2023+
2450
品质保证,价格优惠
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STD2NB80-T4
ST
TO-252
2023+
51278
全新进口原装现货,保证质量
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STD2NB80-TR
ST
TO-252
2023+
51278
工厂配单，价格优势
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STD2NB80T4
ST
TO-252
2023+
2198
工厂配单，价格优势
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STD2NB80
ST
251
2023+
6000
原装现货
相关型号： STD2N62K3 STD2LN60K3 STD2HNK60Z-1 STD2HNK60Z STD2805T4 STD27N3LH5

STD2N62K3
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STD2N62K3参数：MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STD2N62K3ViewAllSpecifications
标准包装：2,500
系列：SuperMESH3™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：620V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.6欧姆@1.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：340pF@50V
功率-最大值：45W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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