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STD30NE06

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STD30NE06LT4 优势库存
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TO-252(DPAK)
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SOT252
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STD30NE06L
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TO-252
2023+
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STD30NE06
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TO-252
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STD30NE06LT4
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DPak,SC-63,T..
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STD30NE06L
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STD30NE06
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STD30NE06T4
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STD30NE06L-T4
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相关型号： STD2NM60T4 STD2NK90ZT4 STD2NK90Z-1 STD2NK70ZT4 STD2NK70Z-1 STD2NK60Z-1

STD30NE06L
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STD30NE06L参数：MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：STripFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：28 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：41nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2370pF @ 25V
功率 - 最大值：55W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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