STD4NA40

STD4N52K3
PDF资料下载

STD4N52K3参数：MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STD4N52K3ViewAllSpecifications
标准包装：2,500
系列：SuperMESH3™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：525V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.6欧姆@1.25A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：334pF@100V
功率-最大值：45W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装：I-Pak