STD5N20LT4参数：MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STD5N20LViewAllSpecifications标准包装：2,500系列：STripFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：700毫欧@2.5A，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：242pF@25V功率-最大值：33W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak
