STD5NE10L

STD5N20LT4
PDF资料下载

STD5N20LT4参数：MOSFET N-CH 200V 5A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STD5N20LViewAllSpecifications
标准包装：2,500
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：700毫欧@2.5A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：242pF@25V
功率-最大值：33W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak