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STD5NM60

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STD5NM60ZT4 优势库存
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TO-252
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STD5NM60-1 优势库存
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TO-252(DPAK)
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STD5NM60T4 优势库存
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TO-252(DPAK)
2023+
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STD5NM60T4
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STD5NM60
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TO-252
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STD5NM60-1
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TO251
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STD5NM60T4
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STD5NM60
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STD5NM60T4
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STD5NM60ZT4
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TO-252
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STD5NM60T4
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STD5NM60-1
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STD5NM60-1
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TO-251-3
2023+
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优势现货量大可供实单价可谈
STD5NM60T4
TO252
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STD5NM60T4
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IPAK (TO-251)
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相关型号： STD5NM50T4 STD5NK60ZT4 STD5NK52ZD-1 STD5NK52ZD STD5NK50ZT4 STD5NK50Z-1

STD5NM60-1
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STD5NM60-1参数：MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STD5NM60ViewAllSpecifications
标准包装：75
系列：MDmesh™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1欧姆@2.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：400pF@25V
功率-最大值：96W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装：I-Pak

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