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STD60N55

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相关型号： STD60N3LH5 STD6 STD5NM60T4 STD5NM60-1 STD5NM50T4 STD5NK60ZT4

STD60N55F3
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STD60N55F3参数：MOSFET N-CH 55V 80A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STD60N55F3ViewAllSpecifications
标准包装：2,500
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.5毫欧@32A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：45nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2200pF@25V
功率-最大值：110W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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