STD60NH03L

STD60NH03L-1
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STD60NH03L-1参数：MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：STripFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2200pF @ 25V
功率 - 最大值：70W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装：I-Pak