STD80N4F6参数：MOSF N CH 40V 80A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STD80N4F6ViewAllSpecifications标准包装：2,500系列：STripFET™VI,DeepGATE™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6毫欧@40A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：36nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2150pF@25V功率-最大值：70W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：DPAK
