STE110NS20

STE110NS20FD
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STE110NS20FD参数：MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP

类别：半导体模块-FET
标准包装：10
系列：MESH OVERLAY™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：110A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：504nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7900pF @ 25V
功率 - 最大值：500W
安装类型：底座安装
封装：ISOTOP
供应商器件封装：ISOTOP?