STH110N10F7-2参数：MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STH110N10F7-2ViewAllSpecifications标准包装：1,000系列：StripFET™VII,DeepGATE™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：110A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.5毫欧@55A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：5500pF@50V功率-最大值：150W安装类型：表面贴装封装：2-SMD供应商器件封装：H²PAK
